Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияФизико-техничекий институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Пленки аморфного гидрированного кремния с повышенной фоточувствительностью

Голикова О.А., Казанин М.М.

Голикова О.А., Казанин М.М. Пленки аморфного гидрированного кремния с повышенной фоточувствительностью // ФТП, 1999, том 33, выпуск 1, Стр. 110

Аннотация Исследованы пленки a-Si : H с фоточувствительностью до 106, повышенной по сравнению с фоточувствительностью "стандартного" a-Si : H на 2 порядка. Пленки имели энергию активации темновой проводимости (sigmad) Delta E=0.85/ 1.1 эВ. Фотопроводимость sigmaph измерялась при скорости генерации фотоносителей 1019 см-3· c-1, энергии квантов varepsilon=2 эВ. Установлен ряд особенностей поведения sigmaph и и sigmad в зависимости от Delta E, а таже особенности спектральной характеристики и кинетики спада sigmaph при длительной засветке. Сделано заключение о перспективности использования исследованного материала в фотовольтаических приборах.