Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Влияние условий имплантации на перераспределение эрбия притвердофазной эпитаксиальной кристаллизации кремния
Александров О.В., Николаев Ю.А., Соболев Н.А.
Александров О.В., Николаев Ю.А., Соболев Н.А. Влияние условий имплантации на перераспределение эрбия притвердофазной эпитаксиальной кристаллизации кремния // ФТП, 1999, том 33, выпуск 1, Стр. 114
Аннотация Исследовалось влияние дозы, энергии и температуры имплантации ионов эрбия и соимплантации ионов кислорода на концентрационные профили Er при твердофазной эпитаксиальной кристаллизации аморфизованного слоя кремния и параметры сегрегационной модели--- ширину переходного слоя L и координатную зависимость коэффициента сегрегации k(x). Увеличение дозы, уменьшение энергии и температуры имплантации Er сопровождается уменьшением ширины L и увеличением скорости роста коэффициента сегрегации k на начальном этапе твердофазной эпитаксиальной кристаллизации, что объясняется повышением дефектности аморфизованного имплантированного слоя. Дополнительная имплантация кислорода приводит к аналогичным изменениям значений L и k(x), что связывается с образованием комплексов Er--O.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален