Профиль » Публикация
Опубликовано
1999-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Влияние условий имплантации на перераспределение эрбия притвердофазной эпитаксиальной кристаллизации кремния
Александров О.В., Николаев Ю.А., Соболев Н.А. Влияние условий имплантации на перераспределение эрбия притвердофазной эпитаксиальной кристаллизации кремния // ФТП, 1999, том 33, выпуск 1, Стр. 114
Аннотация
Исследовалось влияние дозы, энергии и температуры имплантации ионов эрбия и соимплантации ионов кислорода на концентрационные профили Er при твердофазной эпитаксиальной кристаллизации аморфизованного слоя кремния и параметры сегрегационной модели--- ширину переходного слоя L и координатную зависимость коэффициента сегрегации k(x). Увеличение дозы, уменьшение энергии и температуры имплантации Er сопровождается уменьшением ширины L и увеличением скорости роста коэффициента сегрегации k на начальном этапе твердофазной эпитаксиальной кристаллизации, что объясняется повышением дефектности аморфизованного имплантированного слоя. Дополнительная имплантация кислорода приводит к аналогичным изменениям значений L и k(x), что связывается с образованием комплексов Er--O.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален