Профиль » Публикация

Аннотация Анализируются полученные к настоящему времени результаты по исследованию параметров глубоких центров в 6H- 4H- и 3C-SiC. Приведены данные по энергиям ионизации и сечениям захвата центров как образующихся при легировании SiC различными типами примеси или в процессе облучения, так и собственных дефектов. Рассмотрено участие обнаруженных центров в процессах излучательной и безызлучательной рекомбинации. Проведенный анализ литературных источников показывает значительное влияние, которое собственные дефекты кристаллической решетки SiC оказывают как на формирование глубоких центров, так и на свойства самих эпитаксиальных слоев--- уровень их легирования и политипную однородность.