Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им. М.В.Ломоносова, 119899 Москва, Россия * Национальный политехнический институт, г. Гренобль, Франция ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Проводимость структур наоснове легированных нанокристаллических пленок SnO2 cзолотыми контактами

Акимов Б.А., Гаськов А.М., Лабо М., Подгузова С.Е., Румянцева М.Н., Рябова Л.И., Тадеев А.

Акимов Б.А., Гаськов А.М., Лабо М., Подгузова С.Е., Румянцева М.Н., Рябова Л.И., Тадеев А. Проводимость структур наоснове легированных нанокристаллических пленок SnO2 cзолотыми контактами // ФТП, 1999, том 33, выпуск 2, Стр. 205

Аннотация Исследована проводимость нанокристаллических пленок диоксида олова, легированных Pt, Pd, Ni, на изолирующих подложках SiO2 при температурах 77--400 K. Легирование позволило варьировать сопротивление пленок от 104 до 107 Ом. Установлено, что в отличие от контакта Au-монокристалличeский SnO2 золотые контакты для нанокристаллического материала являются омическими во всем диапазоне температур и их вклад в проводимость всех исследованных структур не превышает 5%.