Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Особенности усиления в инжекционных лазерах на основе самоорганизующихся квантовых точек

Ковш А.Р., Жуков А.Е., Егоров А.Ю., Устинов В.М., Леденцов Н.Н., Максимов М.В., Цацульников А.Ф., Копьев П.С.

Ковш А.Р., Жуков А.Е., Егоров А.Ю., Устинов В.М., Леденцов Н.Н., Максимов М.В., Цацульников А.Ф., Копьев П.С. Особенности усиления в инжекционных лазерах на основе самоорганизующихся квантовых точек // ФТП, 1999, том 33, выпуск 2, Стр. 215

Аннотация В рамках простой теоретической модели получен аналитический вид зависимости усиления от плотности тока накачки для лазеров с активной областью на основе самоорганизующихся квантовых точек. Показано, что преложенная модель хорошо описывает экспериментальные данные, полученные для лазерных диодов на основе квантовых точек InGaAs в матрице AlGaAs/GaAs, а также квантовых точек InAs в матрице InGaAs/InP. Изучены обнаруженные ранее эффекты насыщения усиления и перехода лазерной генерации с основного на возбужденное состояние квантовых точек. В рамках предложенной модели рассмотрен вопрос о влиянии плотности массива квантовых точек на пороговые характеристики лазеров на их основе.