Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияМосковский институт стали и сплавов, 117936 Москва, Россия *Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова, 119899 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Изменения люминесцентных электрических свойств светодиодов изгетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при длительной работе

Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И., Кудряшов В.Е., Туркин А.Н., Юнович А.Э.

Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И., Кудряшов В.Е., Туркин А.Н., Юнович А.Э. Изменения люминесцентных электрических свойств светодиодов изгетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при длительной работе // ФТП, 1999, том 33, выпуск 2, Стр. 224

Аннотация Исследованы изменения спектров люминесценции и электрических свойств светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN в процессе длительной работы. Изучались голубые и зеленые светодиоды с одиночными квантовыми ямами InGaN в течение 102/ 2· 103 ч при токах до80 мА. Обнаружено увеличение интенсивности люминесценции при рабочих токах (15 мА) на 1-й стадии старения (100/ 800 ч) и медленное падение--- на 2-й. Наибольшие изменения спектров наблюдались при малых токах (