Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Мощные светодиоды, излучающие вобласти длин волн 1.9-2.1 мкм

Данилова Т.Н., Журтанов Б.Е., Закгейм А.Л., Ильинская Н.Д., Именков А.Н., Сараев О.Н., Сиповская М.А., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П.

Данилова Т.Н., Журтанов Б.Е., Закгейм А.Л., Ильинская Н.Д., Именков А.Н., Сараев О.Н., Сиповская М.А., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Мощные светодиоды, излучающие вобласти длин волн 1.9-2.1 мкм // ФТП, 1999, том 33, выпуск 2, Стр. 239

Аннотация Созданы и исследованы светодиоды, излучающие в области длин волн 1.9--2.1 мкм, на основе двойных гетероструктур AlGaAsSb / GaInAsSb / AlGaAsSb с большим содержанием As(64%) в широкозонных областях. Светодиоды имеют конструкцию, позволяющую расположить активную область близко к отводящим тепло частям корпуса, а свет вывести через подложку GaSb, незаслоненную контактом. Светодиоды обладают в большом интервале токов линейной зависимостью мощности излучения от тока. Достигнута в квазинепрерывном режиме мощность излучения 4.6 мВт, а в импульсном режиме пиковая мощность 190 мВт при комнатной температуре. Показано, что еще при длительностях импульса 5 мкс переход от линейной к сублинейной зависимости мощности излучения от тока определяется не нагревом, а процессами оже-рекомбинации в активной области светодиода.