Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Безынерционная перестройка частоты генерации диодных лазеров наоснове гетероструктур InAsSb / InAsSbP (lambda =3.3 мкм), обусловленная нелинейными оптическими эффектами

Данилова А.П., Данилова Т.Н., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Степанов М.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П.

Данилова А.П., Данилова Т.Н., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Степанов М.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Безынерционная перестройка частоты генерации диодных лазеров наоснове гетероструктур InAsSb / InAsSbP (lambda =3.3 мкм), обусловленная нелинейными оптическими эффектами // ФТП, 1999, том 33, выпуск 2, Стр. 243

Аннотация Исследована перестройка длины волны излучения в диодных лазерах на основе структур InAsSb / InAsSbP. Рассматривается упрощенная математическая модель, учитывающая пространственно однородную накачку и зависимость диэлектрической проницаемости от концентрации носителей заряда. Показано, что в зависимости от величины тока накачки и параметров диодных структур возможно увеличение или уменьшение длины волны лазерного излучения с током, что наблюдается экспериментально. Процесс перестройки длины волны от тока является практически безынерционным процессом, определяющимся временем жизни фотона в резонаторе и частично временем жизни неравновесных носителей заряда.