Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 Организация* Московский государственный университет им.М.В.Ломоносова, 119899 Москва, Россия &#36; Электротехническая лаборатория, Цукуба, Япония ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Сравнительное исследование оптических свойств пористого кремния и оксидов SiO и SiO2

Образцов А.Н., Тимошенко В.Ю., Окуши Х., Ватанабе Х.

Образцов А.Н., Тимошенко В.Ю., Окуши Х., Ватанабе Х. Сравнительное исследование оптических свойств пористого кремния и оксидов SiO и SiO2 // ФТП, 1999, том 33, выпуск 3, Стр. 322

Аннотация Представлены результаты сравнительного исследования оптического поглощения и фотолюминесценции в слоях пористого кремния, оксидах кремния (SiO и SiO2) и порошкообразном кремнии. Обнаружена корреляция положения края полосы поглощения, определяемого по данным фотоакустической спектроскопии, а также спектров фотолюминесценции со степенью окисления кремния. Для образцов пористого кремния выявлено различие частотных зависимостей фотоакустического сигнала от энергии квантов возбуждающего света.