Профиль » Публикация
Опубликовано
1999-00-00
ОрганизацияМосковский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119899 Москва, Россия * Варшавский технологический университет
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Фотопроводимость аморфного гидрированного кремния, легированного методом ионной имплантации
Казанский А.Г., Петрушко С.М., Рыжкова Н.В. Фотопроводимость аморфного гидрированного кремния, легированного методом ионной имплантации // ФТП, 1999, том 33, выпуск 3, Стр. 332
Аннотация
Исследовано влияние концентрации примесей (фосфора и бора) на фотопроводимость пленок аморфного гидрированного кремния, гидрированного и легированного методом ионной имплантации. Проведено сопоставление с данными для пленок, легированных из газовой фазы. Обнаружено существенное отличие зависимостей фотопроводимости от уровня легирования для фосфора и бора. Фотопроводимость имплантированных фосфором пленок возрастает с уровнем легирования и на порядок величины меньше фотопроводимости пленок, легированных фосфором из газовой фазы. В то же время фотопроводимость пленок, имплантированных бором, слабо зависит от уровня легирования и практически совпадает с фотопроводимостью пленок, легированных бором из газовой фазы. Полученные результаты объясняются в рамках модели рекомбинации, учитывающей различие в перезарядке состояний дефектов в пленках n- и p-типа.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален