Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Особенности электронных свойств и структуры пленок a-Si : H сповышенной фоточувствительностью

Голикова О.А., Казанин М.М.

Голикова О.А., Казанин М.М. Особенности электронных свойств и структуры пленок a-Si : H сповышенной фоточувствительностью // ФТП, 1999, том 33, выпуск 3, Стр. 336

Аннотация Исследованы температурные зависимости фотопроводимости, параметр Урбаха, оптические модуляционные спектры и рамановские спектры с целью выяснения причины повышения фоточувствительности пленок a-Si : H. Показано, что эти пленки сочетают низкую плотность дефектов с существованием глубоких дырочных ловушек. Эти факторы приводят к возрастанию величины sigmaph при T=300 K по сравнению с sigmaph "стандартного" a-Si : H при Delta E=const.