Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт имени А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Температурная зависимость квантовой эффективности кремниевых p-n-фотоприемников

Гольдберг Ю.А., Забродский В.В., Оболенский О.И., Петелина Т.В., Суханов В.Л.

Гольдберг Ю.А., Забродский В.В., Оболенский О.И., Петелина Т.В., Суханов В.Л. Температурная зависимость квантовой эффективности кремниевых p-n-фотоприемников // ФТП, 1999, том 33, выпуск 3, Стр. 344

Аннотация Исследована температурная зависимость квантовой эффективности фотодиодов на основе кремниевых p-n-структур в области энергий фотонов 1.1-5.2 эВ и интервале температур 77-300 K. Показано, что для энергий фотонов, превышающих 1.4 эВ, изменение квантовой эффективности не превосходит 0.01% на градус. Проводится сопоставление температурной зависимости фотоотклика кремниевых фотодиодов и фотодиодов на основе GaAs и GaP барьеров Шоттки.