Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * АОЗТ "Светлана--Электронприбор", 194156 Санкт-Петербург, Россия &#36; Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, 1 ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование планарно-легированных структур на основе арсенида галлия для сверхвысокочастотных диодов собъемным потенциальным барьером

Малеев Н.А., Волков В.В., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Ковш А.Р., Кокорев М.Ф., Устинов В.М.

Малеев Н.А., Волков В.В., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Ковш А.Р., Кокорев М.Ф., Устинов В.М. Исследование планарно-легированных структур на основе арсенида галлия для сверхвысокочастотных диодов собъемным потенциальным барьером // ФТП, 1999, том 33, выпуск 3, Стр. 346

Аннотация Диоды с планарно-легированным потенциальным барьером--- приборы с переносом заряда основными носителями, для которых возможно управление высотой потенциального барьера и формой вольт-амперных характеристик за счет определенного сочетания слоев при выращивании эпитаксиальных структур. Эти приборы выступают в качестве потенциальной замены диодов с барьером Шоттки для ряда сверхвысокочастотных применений. В настоящей работе мы исследуем некоторые типичные проблемы, возникающие при выращивании структур с планарно-легированным потенциальным барьером методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Предлагается технология получения структур, основанная на сочетании газофазной эпитаксии с молекулярно-пучковой эпитаксией. Исследуются различные методы формирования омических контактов в структурах с планарно-легированным потенциальным барьером. Разработана технология, обеспечивающая малые контактные сопротивления (95%). Изготовленные сверхвысокочастотные диоды с планарно-легированным потенциальным барьером сопоставляются с диодами Шоттки на основе арсенида галлия.