Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Подавление оже-рекомбинации вдиодных лазерах наоснове гетеропереходов IIтипа InAsSb / InAsSbP иInAs / GaInAsSb

Зегря Г.Г., Михайлова М.П., Данилова Т.Н., Именков А.Н., Моисеев К.Д., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П.

Зегря Г.Г., Михайлова М.П., Данилова Т.Н., Именков А.Н., Моисеев К.Д., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Подавление оже-рекомбинации вдиодных лазерах наоснове гетеропереходов IIтипа InAsSb / InAsSbP иInAs / GaInAsSb // ФТП, 1999, том 33, выпуск 3, Стр. 351

Аннотация Cравнительное исследование температурной зависимости порогового тока, дифференциальной квантовой эффективности и поляризации света выполнено для гетероструктур I и II типа InAsSb / InAsSbP, а также для туннельно-инжекционного лазера на основе разъединенного гетероперехода II типа GaInAsSb / InGaAsSb. Получено экспериментальное доказательство подавления безызлучательной оже-рекомбинации в лазерах InAsSb / InAsSbP II типа с большим отношением разрывов зон на гетерогранице Delta Ev/Delta Ec=3.4. Ослабление температурной зависимости порогового тока установлено для обоих видов лазеров II типа. Максимальная рабочая температура Tlim=203 и 195 K и характеристическая температура T0=40 и 47 K были достигнуты соответственно для традиционного лазера InAsSb / InAsSbP II типа и туннельно-инжекционного лазера II типа на основе p-GaInAsSb / n-InGaAsSb.