Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияМосковский энергетический институт, 111250 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Возникновение генерационно-рекомбинационной неустойчивости втонкопленочных структурах

Колобаев В.В.

Колобаев В.В. Возникновение генерационно-рекомбинационной неустойчивости втонкопленочных структурах // ФТП, 1999, том 33, выпуск 4, Стр. 423

Аннотация Оценивалась возможность возникновения отрицательного дифференциального сопротивления в симметричных структурах металл--полупроводник--металл с малой толщиной пленки. Предложена модель, позволяющая в первом приближении объяснить природу возникновения данной бистабильности в результате генерационно-рекомбинационных процессов, протекающих в объеме образца при биполярной инжекции. Показана перспективность разработки и применения структур с отрицательным дифференциальным сопротивлением в устройствах для регистрации и обработки информации.