Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияУниверситет Молдовы, MD 20009 Кишинев, Молдова *Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия &#36;Санкт-Петербургский государственный технический университет, 192251 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Осцилляции наведенного фотоплеохроизма в тонкопленочных структурах In(Au)/Si

Ботнарюк В.М., Жиляев Ю.В., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.

Ботнарюк В.М., Жиляев Ю.В., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Осцилляции наведенного фотоплеохроизма в тонкопленочных структурах In(Au)/Si // ФТП, 1999, том 33, выпуск 4, Стр. 425

Аннотация Изготовлены фоточувствительные структуры In(Au)/Si и исследованы их фотоэлектрические свойства при наклонном падении линейно поляризованного излучения со стороны барьерного контакта. Обнаружены осцилляции в спектральных зависимостях квантовой эффективности фотопреобразования и коэффициента наведенного фотоплеохроизма. Осцилляции объяснены интерференцией линейно поляризованного излучения в тонких пленках кремния.