Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияФизико-технический интитут им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Institut fur Physik, TU-Chemnitz, D-09107, Chemnitz, Germany ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследования приповерхностной области n-InP (100), пассивированного в сульфидных растворах

Бессолов В.Н., Лебедев М.В., Zahn D.R.T.

Бессолов В.Н., Лебедев М.В., Zahn D.R.T. Исследования приповерхностной области n-InP (100), пассивированного в сульфидных растворах // ФТП, 1999, том 33, выпуск 4, Стр. 429

Аннотация С помощью рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, метода Кельвина и рамановского рассеяния изучались свойства поверхности n-InP (100), пассивированной сульфидом аммония, растворенным в воде или в трет-бутиловом спирте. Показано, что обе обработки приводят к уменьшению глубины приповерхностной обедненной области, к смещению поверхностного уровня Ферми в направлении зоны проводимости и к увеличению работы выхода электронов с поверхности и энергии ионизации полупроводника, причем обработка в спиртовом растворе дает более сильный эффект, чем обработка в водном растворе. При сульфидировании в спиртовом растворе поверхностный уровень Ферми смещается на 0.2 эВ, а энергия ионизации увеличивается на 0.53 эВ.