Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияЯрославский государственный университет им.П.Г.Демидова, 150000 Ярославль, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Релаксация проводимости в закрытом пористом кремнии после термообработки

Зимин С.П., Брагин А.Н.

Зимин С.П., Брагин А.Н. Релаксация проводимости в закрытом пористом кремнии после термообработки // ФТП, 1999, том 33, выпуск 4, Стр. 476

Аннотация Проведено изучение влияния кратковременного отжига при температурах 450/550oC на проводимость пористого кремния, закрытого пленкой металла. Пористый кремний сформирован на подложкахp- иn-типа проводимости и имел пористость 16/40% и5/10% соответственно. Показано, что при отжиге при температурах 500 и550oC пористый кремний на p-Si переходит в высокопроводящее состояние. Описано явление релаксации проводимости в закрытых слоях пористого кремния на p-Si после термообработки. Проведен анализ полученных результатов с точки зрения модели пассивации примесных атомов водородом. Показано, что переход алюминий--<пористый кремний> после отжига обладает выпрямляющим действием. Определены параметры потенциального барьера для контактов Al--<пористый кремний> на подложкахp- иn-типа.