Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияМосковский энергетический институт, 111250 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотопамять в тонкопленочных солнечных элементах на основе CdTe

Воронков Э.Н., Шаронов А.Е., Колобаев В.В.

Воронков Э.Н., Шаронов А.Е., Колобаев В.В. Фотопамять в тонкопленочных солнечных элементах на основе CdTe // ФТП, 1999, том 33, выпуск 4, Стр. 481

Аннотация Показано, что в тонкопленочных фотопреобразователях на основе поликристаллического CdTe под действием излучения происходит изменение хемсорбционного равновесия на границах кристаллитов, что приводит к возникновению фотопамяти в результате изменения поверхностного потенциала и соответственно скорости поверхностной рекомбинации. Этот эффект может явиться причиной нестабильности параметров поликристаллических солнечных элементов и приводить как к ухудшению, так и к улучшению эффективности фотопреобразования. Рассмотрена экспериментальная методика, которая позволяет определять тип доминирующих поверхностных состояний на границах кристаллитов.