Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

О влиянии уровней захвата на токоперенос вструктурах Pd--p(n)-CdTe

Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В.

Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В. О влиянии уровней захвата на токоперенос вструктурах Pd--p(n)-CdTe // ФТП, 1999, том 33, выпуск 4, Стр. 492

Аннотация Исследованы вольт-амперные характеристики и фотоэдс структур Pd--p(n)-CdTe и изменение их при импульсном воздействии водорода. Показано, что токоперенос в структурах Pd--n-CdTe [I~ exp(alpha V)] связан с двойной инжекцией носителей при их захвате на однородно распределенные по энергии уровни ловушек. Для структур Pd--p-CdTe важен полупроводниковый режим двойной инжекции с I~ V2. Серия глубоких уровней захвата, в том числе в интервале 0.75/ 0.83 эВ, ответственна за длительный процесс релаксации фотоэдс и темнового тока после импульса потока H2.