Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияРязанская государственная сельскохозяйственная академия им.проф.П.А.Костычева, 390044 Рязань, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние когерентного электромагнитного излучения на эпитаксиальные диодные структуры фосфида галлия

Иняков В.В., Моос Е.Н., Шрайнер Ю.А.

Иняков В.В., Моос Е.Н., Шрайнер Ю.А. Влияние когерентного электромагнитного излучения на эпитаксиальные диодные структуры фосфида галлия // ФТП, 1999, том 33, выпуск 4, Стр. 499

Аннотация Исследовано влияние излучения лазера на вольт-амперные характеристики и внутренний квантовый выход электролюминесценции после облучения. В результате воздействия при сверхкритических мощностях потока излучения (более 107 Вт/см2) наблюдалось сильное падение квантового выхода люминесценции и резкий рост токов утечек на вольт-амперных характеристиках. Предполагается, что мощное оптическое излучение, возбуждая электронную подсистему примесных атомов, способствует протеканию квазихимических реакций.