Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияГрузинский технический университет, 380075 Тбилиси, Грузия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние интенсивности облучения на эффективность введения радиационных дефектов в кристаллах Si n- и p-типа

Пагава Т.А., Башелеишвили З.В.

Пагава Т.А., Башелеишвили З.В. Влияние интенсивности облучения на эффективность введения радиационных дефектов в кристаллах Si n- и p-типа // ФТП, 1999, том 33, выпуск 5, Стр. 542

Аннотация Исследовалось влияние плотности потока электронов (varphi) на эффективность введения радиационных дефектов (eta) в образцах Si n- и p-типа. Показано, что приложение электрического поля к образцу в процессе облучения влияет на зависимость varphi(eta) только в кристаллах Si n-типа, что объясняется зарядовым состоянием пар Френкеля в момент образования при низких энергиях облучения.