Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Вольт-амперные характеристики фотоприемников сблокированной прыжковой проводимостью наоснове Si : As

Есаев Д.Г., Синица С.П., Чернявский Е.В.

Есаев Д.Г., Синица С.П., Чернявский Е.В. Вольт-амперные характеристики фотоприемников сблокированной прыжковой проводимостью наоснове Si : As // ФТП, 1999, том 33, выпуск 5, Стр. 614

Аннотация Представлены результаты экспериментального исследования вольт-амперных характеристик структур с блокированной прыжковой проводимостью на основе Si : As. Проведен анализ поведения темнового тока в диапазоне температур T=7/ 25 K, напряжения смещения -4/ 4 B и приведены соображения о механизмах протекания темнового тока. Выработаны рекомендации выбора напряжения смещения на структурах для оптимальной работы в качестве фотоприемника инфракрасного излучения.