Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 Организация* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия + GES, 074, Universite Montpellier-II, France normal Electrical Engineering Department, University of Maryland, 20742-3285, US ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Неустойчивость Дьяконова--Шура в баллистическом полевом транзисторе с пространственно неоднородным каналом

Черемисин М.В., Самсонидзе Г.Г.

Черемисин М.В., Самсонидзе Г.Г. Неустойчивость Дьяконова--Шура в баллистическом полевом транзисторе с пространственно неоднородным каналом // ФТП, 1999, том 33, выпуск 5, Стр. 619

Аннотация Проведен анализ неустойчивости двумерной электронной жидкости в канале баллистического полевого транзистора на основе исследования баланса энергии. Найден критерий неустойчивости в общем случае произвольных граничных условий. Используя анализ баланса энергии, мы предлагаем прибор, обладающий большим инкрементом неустойчивости. Транзистор имеет пространственно неоднородный канал и аналогичен диффузору в классической гидродинамике. Вычисленные нами для данного прибора величины инкремента и порога неустойчивости находятся в соответствии с данными численного расчета.