Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin, Germany ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Структуры InGaAs/GaAs с квантовыми точками в вертикальных оптических резонаторах для диапазона длин волн вблизи 1.3 мкм

Малеев Н.А., Жуков А.Е., Ковш А.Р., Егоров А.Ю., Устинов В.М., Крестников И.Л., Лунев А.В., Сахаров А.В., Воловик Б.В., Леденцов Н.Н., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д.

Малеев Н.А., Жуков А.Е., Ковш А.Р., Егоров А.Ю., Устинов В.М., Крестников И.Л., Лунев А.В., Сахаров А.В., Воловик Б.В., Леденцов Н.Н., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д. Структуры InGaAs/GaAs с квантовыми точками в вертикальных оптических резонаторах для диапазона длин волн вблизи 1.3 мкм // ФТП, 1999, том 33, выпуск 5, Стр. 629

Аннотация Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs получены полупроводниковые гетероструктуры с вертикальными оптическими резонаторами, имеющие активные области на основе массивов квантовых точек InAs, помещенных во внешнюю квантовую яму InGaAs. Исследованы зависимости спектров отражения и фотолюминесценции от особенностей структуры активной области и оптических резонаторов. Предложенные гетероструктуры потенциально пригодны для создания оптоэлектронных приборов на диапазон длин волн вблизи 1.3 мкм.