Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 Организация*Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, 197376 Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Перераспределение гольмия при твердофазной эпитаксиальной кристаллизации аморфизованных слоев кремния

Александров О.В., Николаев Ю.А., Соболев Н.А.

Александров О.В., Николаев Ю.А., Соболев Н.А. Перераспределение гольмия при твердофазной эпитаксиальной кристаллизации аморфизованных слоев кремния // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 3

Аннотация Исследовались концентрационные профили Ho после отжига при температуре 620oC слоев кремния, имплантированных ионами Ho+ с энергией 1 МэВ и дозами (1-3)·1014 см-2, превышающими порог аморфизации, а также ионами O+ с энергиями, обеспечивающими совпадение максимумов концентраций, и дозами, на порядок большими, чем у Ho+. Перекристаллизация аморфизованного слоя кремния происходит по механизму твердофазной эпитаксии. Показано, что закономерности сегрегационного перераспределения примеси Ho аналогичны ранее изученным закономерностям перераспределения примеси Er. Уменьшение концентрации Ho на начальном этапе твердофазной эпитаксиальной кристаллизации объясняется малой скоростью массопереноса примеси через межфазную границу аморфный слой--монокристалл. Получено аналитическое выражение, описывающее изменение коэффициента сегрегации в процессе твердофазной эпитаксиальной кристаллизации, включая его начальный этап, позволяющее рассчитывать концентрационные профили редкоземельных элементов.