Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияИнститут физики микроструктур Российской академии наук, 603600 Нижний Новгород, Россия *Нижегородский региональный центр сканирующей зондовой микроскопии, Нижегородский государственный университет, 603600 Нижний Новгород, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Упругие напряжения и состав самоорганизующихся наноостровков GeSi на Si (001)

Востоков Н.В., Гусев С.А., Долгов И.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Лобанов Д.Н., Молдавская Л.Д., Новиков А.В., Постников В.В., Филатов Д.О.

Востоков Н.В., Гусев С.А., Долгов И.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Лобанов Д.Н., Молдавская Л.Д., Новиков А.В., Постников В.В., Филатов Д.О. Упругие напряжения и состав самоорганизующихся наноостровков GeSi на Si (001) // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 8

Аннотация Представлены результаты исследования роста самоорганизующихся наноостровков Ge на Si (001) при 700oC и изменения их параметров в процессе отжига. Получены островки с малым разбросом (~ 6%) по латеральным размерам и высоте. Из спектров комбинационного рассеяния света и рентгенодифракционных исследований обнаружено растворение Si в островках, определена его доля в твердом растворе SixGe1-x и измерены упругие напряжения в островках. Установлено, что в процессе отжига структур с наноостровками происходит увеличение доли Si в островках. Это изменение состава приводит к изменению формы и размеров островков.