Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияТашкентский государственный университет им. М.Улугбека, 700095 Ташкент, Узбекистан ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Динамические тензохарактеристики диодов с барьером Шоттки приимпульсном всестороннем гидростатическом давлении
Маматкаримов О.О., Зайнабидинов С.З., Абдураимов А., Хамидов Р.Х., Туйчиев У.А.
Маматкаримов О.О., Зайнабидинов С.З., Абдураимов А., Хамидов Р.Х., Туйчиев У.А. Динамические тензохарактеристики диодов с барьером Шоттки приимпульсном всестороннем гидростатическом давлении // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 67
Аннотация Исследованы динамические тензохарактеристики диодов с барьером Шоттки типа Au-Si< Ni>-Sb при воздействии импульсного всестороннего гидростатического давления в диапазоне P=(0-5)· 108 Па, при температуре T=300 K. Исследования вольт-амперных характеристик диодов показали, что благодаря проявлению дополнительного температурного эффекта, стимулированного импульсным давлением, динамические параметры тензоэффекта в них на 20-30% возрастают по сравнению с их статическими параметрами.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален