Профиль » Публикация
Опубликовано
2000-00-00
ОрганизацияТашкентский государственный университет им. М.Улугбека, 700095 Ташкент, Узбекистан
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Динамические тензохарактеристики диодов с барьером Шоттки приимпульсном всестороннем гидростатическом давлении
Маматкаримов О.О., Зайнабидинов С.З., Абдураимов А., Хамидов Р.Х., Туйчиев У.А. Динамические тензохарактеристики диодов с барьером Шоттки приимпульсном всестороннем гидростатическом давлении // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 67
Аннотация
Исследованы динамические тензохарактеристики диодов с барьером Шоттки типа Au-Si< Ni>-Sb при воздействии импульсного всестороннего гидростатического давления в диапазоне P=(0-5)· 108 Па, при температуре T=300 K. Исследования вольт-амперных характеристик диодов показали, что благодаря проявлению дополнительного температурного эффекта, стимулированного импульсным давлением, динамические параметры тензоэффекта в них на 20-30% возрастают по сравнению с их статическими параметрами.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален