Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияТомский политехнический университет, 634004 Томск, Россия * Сибирский физико-технический институт при Томском государственном университете, 634050 Томск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние границы диэлектрик--арсенид галлия на поведение кремния при радиационном отжиге

Ардышев В.М., Ардышев М.В., Хлудков С.С.

Ардышев В.М., Ардышев М.В., Хлудков С.С. Влияние границы диэлектрик--арсенид галлия на поведение кремния при радиационном отжиге // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 70

Аннотация Методом измерения вольт-фарадных характеристик исследовались концентрационные профилиn(x) 28Si, имплантированного в полуизолирующий GaAs (E1=50 кэВ, F1=8.75·1012 см-2 и E2=75 кэВ, F2=1.88·1012 см-2) после "электронного" отжига (P=7.6 Вт/см2, t=10 с) с защитными покрытиями: SiO2 : Sm; SiO2, осажденный путем окисления моносилана; Si3N4; а также и без диэлектрика. Показано, что профили после электронного отжига залегают глубже по сравнению с расчетным и профилем после термического отжига (800oC, 30 мин). Глубина залегания профилей зависит от диэлектрика. Наибольшее "уширение" профиля наблюдается при электронном отжиге GaAs без диэлектрика, а наименьшее--- при электронном отжиге с пленкой SiO2 : Sm. На зaвисимостяхn(x) можно выделить два участка--- вблизи и вдали от границы раздела. Значения диффузионных параметров и степени электроактивацииSi на втором участке больше, чем на первом. Результаты интерпретируются в предположении термоупругих напряжений в GaAs вблизи границы диэлектрик--полупроводник.