Профиль » Публикация
Опубликовано
2000-00-00
ОрганизацияСанкт-Петербургская государственная педиатрическая медицинская академия, 194100 Санкт-Петербург, Россия *Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Распределение по энергии локализованных состояний в аморфном гидрогенизированном кремнии
Коугия К.В., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н. Распределение по энергии локализованных состояний в аморфном гидрогенизированном кремнии // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 81
Аннотация
На основе анализа спектральных и температурных зависимостей нестационарной фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии предложен метод определения спектральной зависимости коэффициента оптического поглощения и рассчитано распределение по энергии локализованных состояний, на которых происходит рекомбинация неравновесных дырок.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален