Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Центральный научно-исследовательский институт "Электрон", Санкт-Петербург, Россия &#36; Воронежский государственный университет, 394026 Воро ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Модификации структуры и электрических параметров пленок аморфного гидрированного кремния, имплантированных ионами Si+

Голикова О.А., Кузнецов А.Н., Кудоярова В.Х., Петров  И.Н., Домашевская Э.П., Терехов В.А.

Голикова О.А., Кузнецов А.Н., Кудоярова В.Х., Петров И.Н., Домашевская Э.П., Терехов В.А. Модификации структуры и электрических параметров пленок аморфного гидрированного кремния, имплантированных ионами Si+ // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 86

Аннотация Определено влияние имплантации ионами кремния (с энергией Si+ 30, 60 и 120 кэВ) на темновую проводимость, фотопроводимость, содержание водорода в пленках, величину микроструктурного параметра, а также на особенности ультрамягких рентгеновских эмиссионных спектров пленок a-Si : H, осажденных при Ts=300oC методами dc-MASD и rf-PECVD, отличающихся исходными структурными характеристиками.