Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия &#36;Московский государственный университет им.М.В.Ломоносова, 119899 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние локального окружения на кинетику спада фотолюминесценции Er в аморфном гидрогенизированном кремнии

Теруков Е.И., Кудоярова В.Х., Коньков О.И., Константинова Е.А., Каменев Б.В., Тимошенко В.Ю.

Теруков Е.И., Кудоярова В.Х., Коньков О.И., Константинова Е.А., Каменев Б.В., Тимошенко В.Ю. Влияние локального окружения на кинетику спада фотолюминесценции Er в аморфном гидрогенизированном кремнии // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 90

Аннотация Впервые проведены исследования кинетики спада фотолюминесценции примеси Er в пленках аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si : H<Er>), полученного двумя методами: сораспылением мишеней Si и Er с применением технологии разложения силана на постоянном токе в магнитном поле (MASD) и высокочастотным разложением силана. Источником Er во втором случае служил полимерный порошок Er(TMHD)3. Показано, что пленки a-Si : H<Er>, полученные методом MASD, имеют характерные времена спада фотолюминесценции Er при комнатной температуре 10/ 15 мкс, т. е. в 20раз меньшие, чем в кристаллическом кремнии, легированном Er, (c-Si<Er,O>) при температурах жидкого азота. Для пленок a-Si : H<Er>, полученных высокочастотным разложением силана, времена спада фотолюминесценции Er составляют 2 мкс. Отличие во временах спада кинетики фотолюминесценции связывается с различным локальным окружением атомов Er в a-Si : H<Er>, полученном разными методами.