Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фазовый переход кристалл--стекло, происходящий подвоздействием электрического поля вхалькогенидных полупроводниках

Лебедев Э.А., Цэндин К.Д., Казакова Л.П.

Лебедев Э.А., Цэндин К.Д., Казакова Л.П. Фазовый переход кристалл--стекло, происходящий подвоздействием электрического поля вхалькогенидных полупроводниках // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 93

Аннотация Показано, что минимальная мощность импульсов электрического поля, вызывающая фазовый переход кристалл--стекло в микронных пленках халькогенидных полупроводников, не зависит от длительности импульсов tau при tau>10 мкс и растет при уменьшении tau для значений tau