Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияИнститут радиотехники и электроники Российской академии наук, 103907 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Ультраквазигидродинамический электронный транспорт всубмикронных полевых МДП-транзисторах игетеротранзисторах

Гергель В.А., Мокеров В.Г., Тимофеев М.В., Федоров Ю.В.

Гергель В.А., Мокеров В.Г., Тимофеев М.В., Федоров Ю.В. Ультраквазигидродинамический электронный транспорт всубмикронных полевых МДП-транзисторах игетеротранзисторах // ФТП, 2000, том 34, выпуск 2, Стр. 239

Аннотация Показано, что в канале субмикронных полевых транзисторов электроны не успевают разогреться до квазистационарных температур, отвечающих балансу джоулева разогрева и терморелаксации. Отмеченный "недоразогрев" увеличивает эффективную подвижность по сравнению со значением mu(E), отвечающим дрейфово-диффузионному приближению. Используя редукцию уравнения теплового баланса за счет терморелаксационного члена, получено простое аналитическое выражение для вольт-амперных характеристик транзистора. В частности, ток насыщения транзистора в развитой ультраквазигидродинамической модели пропорционален (VG-Vt)3/2. Приведены результаты измерений характеристик тестовых гетеротранзисторов P-HEMT GaAlAs/InGaAs/GaAs с длиной канала~ 0.3 мкм, подтверждающие адекватность развитой модели, точность которой с дальнейшим уменьшением длины канала будет лишь увеличиваться.