Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им.М.В.Ломоносова (физический факультет), 119899 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Особенности релаксации термоиндуцированных и фотоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si : H< P>
Курова И.А., Ларина Э.В., Ормонт Н.Н.
Курова И.А., Ларина Э.В., Ормонт Н.Н. Особенности релаксации термоиндуцированных и фотоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si : H< P> // ФТП, 2000, том 34, выпуск 3, Стр. 364
Аннотация Обсуждается кинетика релаксации термоиндуцированных и фотоиндуцированных метастабильных состояний, обусловливающих повышение темновой проводимости пленок a-Si : H<P>. Установлено, что релаксация описывается функциями типа растянутой экспоненты с параметрами tau и beta, различно зависящими от температуры для фото- и термоиндуцированных состояний. Так, релаксация фотоиндуцированных состояний характеризуется уменьшением beta с температурой, для термоиндуцированных состояний параметр beta практически постоянен. Показано, что эти различные температурные зависимости beta коррелируют с температурными изменениями полуширины распределений по энергиям отжига этих состояний. Установленные особенности релаксации фото- и термоиндуцированных метастабильных состояний обусловлены разными механизмами их образования. Природа их может быть одна и связана с активацией пассивированных водородом атомов фосфора.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален