Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им.М.В.Ломоносова, 119899 Москва, Россия *Philipps-Universitat Marburg, Fachbereich Physik, D-35032, Marburg, Germany &#36;Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Поглощение ифотопроводимость вкомпенсированном бором mu c - Si: H

Казанский А.Г., Мелл Х., Теруков Е.И., Форш П.А.

Казанский А.Г., Мелл Х., Теруков Е.И., Форш П.А. Поглощение ифотопроводимость вкомпенсированном бором mu c - Si: H // ФТП, 2000, том 34, выпуск 3, Стр. 373

Аннотация Исследованы поглощение, проводимость и фотопроводимость фоточувствительного слабо легированного бором mu c-Si:H. Зависимости фотопроводимости от температуры и интенсивности света измерены в области температур 100/ 400 K для различных энергий квантов (0.9, 1.3 и 1.8 эВ). Полученные результаты объясняются определяющим вкладом микрокристаллической фазы и состояний на границах раздела микрокристаллов в перенос и рекомбинацию неравновесных носителей в mu c-Si:H. Рассмотрены возможные механизмы рекомбинации и изменение их роли с температурой.