Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный электротехнический университет, 197022 Санкт-Петербург, Россия * Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия + Санкт-Петербургская государственная педиатрическая а ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Структурные особенности и свойства пленок a-Si : H, полученных методом циклического осаждения

Афанасьев В.П., Гудовских А.С., Коньков О.И., Казанин М.М., Коугия К.В., Сазанов А.П., Трапезникова И.Н., Теруков Е.И.

Афанасьев В.П., Гудовских А.С., Коньков О.И., Казанин М.М., Коугия К.В., Сазанов А.П., Трапезникова И.Н., Теруков Е.И. Структурные особенности и свойства пленок a-Si : H, полученных методом циклического осаждения // ФТП, 2000, том 34, выпуск 4, Стр. 492

Аннотация Исследованы пленки аморфного гидрогенизированного кремния, полученные методом циклического осаждения с использованием промежуточного отжига в водородной плазме. Пленки a-Si : H, осажденные в оптимальных режимах, обладают фоточувствительностью (отношение проводимостей при освещении и в темноте достигает значений sigmaph/sigmad~107 при освещенности 20 мВт / см2 в видимой области спектра), а значения оптической ширины запрещенной зоны (Eg) и энергии активации (Ea) составляют 1.85 и 0.91 эВ соответственно. Микроскопические исследования выявили четко выраженную слоистую структуру пленок a-Si : H и наличие нанокристаллических включений в матрице аморфной фазы.