Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияНаучно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им.Н.И.Лобачевского, 603600 Нижний Новгород, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Особенности метода сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и его возможности при получении структуры Si : Er / Si

Кузнецов В.П., Рубцова Р.А.

Кузнецов В.П., Рубцова Р.А. Особенности метода сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и его возможности при получении структуры Si : Er / Si // ФТП, 2000, том 34, выпуск 5, Стр. 519

Аннотация Исследуются температурные зависимости (300--77 K) концентрации и холловской подвижности носителей заряда в слоях Si : Er / Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Электрическая активность люминесцирующих центров с Er не наблюдалась. Продемонстрирована возможность точного контроля примесных профилей при получении структур типа p+-n-n+ для электролюминесценции.