Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияНаманганский инженерно-педагогический институт, 716003 Наманган, Узбекистан ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Эдс горячих носителей, обусловленная модуляцией поверхностного потенциала в сильном СВЧ поле

Гулямов Г., Дадамирзаев М.Г., Бойдедаев С.Р.

Гулямов Г., Дадамирзаев М.Г., Бойдедаев С.Р. Эдс горячих носителей, обусловленная модуляцией поверхностного потенциала в сильном СВЧ поле // ФТП, 2000, том 34, выпуск 5, Стр. 572

Аннотация Исследовано влияние искажения греющей волны на рекомбинационные токи и эдс, генерируемые на p-n-переходе в сильном СВЧ поле. Показано, что высокочастотные возмущения поверхностного потенциала и высоты p-n-перехода греющей волной в режиме тока короткого замыкания приводят к уменьшению эффективной высоты барьера, а в режиме холостого хода к аномально большим значениям эдс.