Профиль » Публикация
Опубликовано
2000-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Вольт-амперные характеристики электролюминесцентных структур Me/a-Si : H< Er>/c-Si, изготовленных магнетронным распылением
Иванов П.А., Коньков О.И., Теруков Е.И. Вольт-амперные характеристики электролюминесцентных структур Me/a-Si : H< Er>/c-Si, изготовленных магнетронным распылением // ФТП, 2000, том 34, выпуск 5, Стр. 617
Аннотация
Измерены и проанализированы вольт-амперные характеристики электролюминесцентных структур металл--<аморфный гидрогенизированный кремний, легированный эрбием>-<кристаллический кремний>, изготовленных магнетронным распылением. Показано, что в широком диапазоне плотностей тока перенос носителей заряда в высокоомной пленке a-Si : H<Er> (удельное сопротивление около 1 ГОм·см) осуществляется по механизму токов монополярной инжекции, ограниченных пространственным зарядом, при участии двух групп ловушек захвата. Из анализа вольт-амперных характеристик оценены параметры ловушек захвата: концентрация и энергия ионизации акцепторных центров (~ 1019 см-3 и 0.85--0.95 эВ соответственно), концентрация и энергия ионизации донорных центров (~ 1019 см-3 и 0.4 эВ соответственно). В свете полученных результатов обсуждается предлагаемый в литературе механизм возбуждения эрбиевой электролюминесценции в таком материале.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален