Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Laboratorium fur Elektronenmikroskopie, Universitat Karlsruhe, Germany ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Особенности формирования внедрений InxGa1-xN в матрице GaN при выращивании методом MOCVD

Сошников И.П., Лундин В.В., Усиков А.С., Калмыкова И.П., Леденцов Н.Н., Rosenauer A., Neubauer B., Gerthsen D.

Сошников И.П., Лундин В.В., Усиков А.С., Калмыкова И.П., Леденцов Н.Н., Rosenauer A., Neubauer B., Gerthsen D. Особенности формирования внедрений InxGa1-xN в матрице GaN при выращивании методом MOCVD // ФТП, 2000, том 34, выпуск 6, Стр. 647

Аннотация Проведено исследование методами просвечивающей электронной микроскопии гетероструктур с одним или несколькими слоями InxGa1-xN в матрице GaN, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (MOCVD). Показано, что в гетероструктурах с толстыми слоями InGaN (~40 нм) наблюдается образование некогерентной системы слоистых доменов с характерными латеральными размерами порядка толщины слоя (~50 нм). В случае сверхтонких внедрений InGaN формируются нанодомены, когерентные с матрицей GaN. Определенное с помощью DALI-методики содержание In в островках достигает значений x~0.6 и более, что существенно выше, чем среднее содержание индия. Плотность образующихся нанодоменов в исследованных структурах составляет n~(2-5)·1011 см-2. В структурах со сверхтонкими внедрениями InGaN отмечено образование нанодоменов с двумя характерными размерами (3--6 и 8--15 нм).