Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияЧерновицкий университет, 274012 Черновцы, Украина *Институт оптоэлектроники, п / я 030, 471009 Лоян, Хэнань, КНР ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в p-n-переходах на основе HgMnTe

Косяченко Л.А., Остапов С.Э., Вейгуа Сун

Косяченко Л.А., Остапов С.Э., Вейгуа Сун Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в p-n-переходах на основе HgMnTe // ФТП, 2000, том 34, выпуск 6, Стр. 695

Аннотация Сообщаются новые экспериментальные результаты по переносу заряда в p-n-переходах на основе Hg1-xMnxTe (x~0.11). Наблюдаемые характеристики объясняются в рамках теории Саа--Нойса--Шокли с учетом особенностей рекомбинации носителей в узкозонном полупроводнике.