Профиль » Публикация

Аннотация Исследованы температурные зависимости фотопроводимости легированных бором пленок a-Si : H до и после длительного освещения. Установлено, что фотопроводимость исследованных пленок в интервале температур от 200 до 300 K (средние температуры) не зависит от уровня легирования и концентрации глубоких рекомбинационных центров--- оборванных связей. Для объяснения экспериментальных результатов использована модель рекомбинации, согласно которой в a-Si : H p-типа функция заполнения нейтральных оборванных связей (следовательно, и фотопроводимость) определяется параметрами состояний хвоста валентной зоны и не зависит от уровня легирования и полной концентрации оборванных связей.