Профиль » Публикация
Опубликовано
2000-00-00
ОрганизацияМосковский государственный университет им.М.В.Ломоносова, 119899 Москва, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Модификация оптоэлектронных свойств пористого кремния, приготовленного в электролите на основе тяжелой воды
Каменев Б.В, Константинова Е.А., Кашкаров П.К., Тимошенко В.Ю. Модификация оптоэлектронных свойств пористого кремния, приготовленного в электролите на основе тяжелой воды // ФТП, 2000, том 34, выпуск 6, Стр. 753
Аннотация
Методами инфракрасной спектроскопии, электронного парамагнитного резонанса и фотолюминесценции исследованы слои пористого кремния, сформированные посредством электрохимической обработки Si в растворе HF : D2O. В отличие от образцов, приготовленных в обычном электролите (HF : H2O), обнаружено монотонное увеличение интенсивности фотолюминесценции в процессе естественного окисления образца при сохранении водородного покрытия поверхности кремниевого скелета. Предложен механизм аномального окисления слоев пористого кремния, полученного в смеси HF и тяжелой воды.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален