Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Оптические и электрические свойства пористого арсенида галлия

Аверкиев Н.С., Казакова Л.П., Лебедев Э.А., Рудь Ю.В., Смирнов А.Н., Смирнова Н.Н.

Аверкиев Н.С., Казакова Л.П., Лебедев Э.А., Рудь Ю.В., Смирнов А.Н., Смирнова Н.Н. Оптические и электрические свойства пористого арсенида галлия // ФТП, 2000, том 34, выпуск 6, Стр. 757

Аннотация Впервые проведено исследование фотолюминесценции, комбинационного рассеяния света и переноса носителей заряда в пористом GaAs, приготовленном на основе кристаллического GaAs (111), A и B, n-типа проводимости. Установлено, что максимумы основной полосы фотолюминесценции с поверхностей A и B наблюдаются вблизи энергий 1.82 эВ(A) и1.88 эВ(B). Определена величина дрейфовой подвижности электронов, она составляет ~4·10-4 см2/В·с. Размер нанокристаллитов в пористом GaAs определялся как из спектров фотолюминесценции, так и из рамановского сдвига. Полученные величины оказались близкими и составляли 6--8 нм.