Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияИнститут радиотехники и электроники Российской академии наук, 103907 Москва, Россия * Московский институт электронной техники, 103498 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование распределения и перераспределения кремния в тонких легированных слоях арсенида галлия, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111) А, (111) В

Галиев Г.Б., Каминский В.Э., Мокеров В.Г., Неволин В.К., Сарайкин В.В., Слепнев Ю.В.

Галиев Г.Б., Каминский В.Э., Мокеров В.Г., Неволин В.К., Сарайкин В.В., Слепнев Ю.В. Исследование распределения и перераспределения кремния в тонких легированных слоях арсенида галлия, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111) А, (111) В // ФТП, 2000, том 34, выпуск 7, Стр. 769

Аннотация Методом масс-спектрометрии вторичных ионов исследовано распределение кремния до и после термического отжига в тонких легированных слоях GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111) A, (111) B. С помощью атомно-силового микроскопа исследованы рельефы поверхности выращенных эпитаксиальных пленок вне и внутри кратера ионного травления, возникающего во время анализа методом масс-спектрометрии вторичных ионов. Выявлены особенности рельефа поверхности внутри кратера для разных ориентаций. Обнаруженные изменения формы профилей легирования объяснены как особенностями развития рельефа поверхности во время ионного травления при анализе методом масс-спектрометрии вторичных ионов, так и с ускоренной диффузией Si по дефектам роста.