Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Роль эффекта ударной ионизации в формировании обратных вольт-амперных характеристик туннельных структур Al/SiO2/n-Si

Векслер М.И., Грехов И.В., Шулекин А.Ф.

Векслер М.И., Грехов И.В., Шулекин А.Ф. Роль эффекта ударной ионизации в формировании обратных вольт-амперных характеристик туннельных структур Al/SiO2/n-Si // ФТП, 2000, том 34, выпуск 7, Стр. 803

Аннотация Проанализированы физические процессы, ответственные за формирование обратных вольт-амперных характеристик структур Al/SiO2/n-Si с толщиной SiO2 в пределах 1.2-3.2 нм и уровнем легирования кремния 1014-1018 см-3. Предложена новая модель для описания процесса эволюции энергии горячих электронов в таких структурах. Разграничена роль оже-ионизации и ударной ионизации. Теоретически и экспериментально изучены величины напряжений переключения туннельной МОП структуры. Показано, что напряжение переключения уменьшается с ростом толщины окисла.