Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияИнститут автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук, 690041 Владивосток, Россия * Дальневосточный государственный технический университет, 690069 Владивосток, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Эффект Холла в субмонослойных системах Fe на Si (111) n- и p-типа проводимости

Галкин Н.Г., Горошко Д.Л., Конченко А.В., Захарова Е.С., Кривощапов С.Ц.

Галкин Н.Г., Горошко Д.Л., Конченко А.В., Захарова Е.С., Кривощапов С.Ц. Эффект Холла в субмонослойных системах Fe на Si (111) n- и p-типа проводимости // ФТП, 2000, том 34, выпуск 7, Стр. 827

Аннотация Методом in situ измерений эффекта Холла при комнатной температуре показано, что формирование атомарно-чистой поверхности кремния Si (111) 7x 7 при высокотемпературном отжиге (T=1250oC, t=120-180 с) кремния n-типа проводимости приводит к смене знака основных носителей тока на поверхности, а на поверхности кремния p-типа образуется обогащенный дырками слой. Различная динамика изменений холловского напряжения и напряжения сопротивления в пределах первого монослоя адсорбции железа на подложки как с p-n-переходом, так и со слоем, обогащенным дырками, не связана с проводимостью по адсорбированному слою. Проводимость в слое железа с толщиной более трех монослоев обусловлена в обоих случаях переносом электронов со слоевой концентрацией 2· 1013-2· 1014 см-2 и подвижностью 65--90 см2/(В·с).