Профиль » Публикация
Опубликовано
2000-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургская государственная педиатрическая медицинская академия, 194100 Санкт-Петербург, Россия + Московский государственный университет им. М.В.Л
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Влияние эрбия на электрические и фотоэлектрические свойства аморфного кремния, полученного высокочастотным разложением силана
Теруков Е.И., Казанин М.М., Коньков О.И., Кудоярова В.Х., Коугия К.В., Никулин Ю.А., Казанский А.Г. Влияние эрбия на электрические и фотоэлектрические свойства аморфного кремния, полученного высокочастотным разложением силана // ФТП, 2000, том 34, выпуск 7, Стр. 861
Аннотация
Эрбий был введен в аморфный гидрогенизированный кремний, полученный высокочастотным разложением силана, за счет термического испарения TRIS (2,2,6,6тетраметил--2.5гептадионато) Er(III) внутри плазменного промежутка. Полученные образцы обладали выраженной слоистой структурой вследствие истощения источника эрбия: ближайший к подложке, обогащенный эрбием, кислородом и углеродом слой контролировал люминесценцию с длиной волны 1.535 мкм, характерную для внутри атомных переходов эрбия 4I13/2-> 4I15/2, и содержал значительное число дефектов. Верхний слой был значительно менее дефектным и по своим фотоэлектрическим характеристикам приближался к нелегированному a-Si : H и контролировал фотопроводимость полученных образцов. Экспериментальные данные проанализированы в рамках моделей легирования a-Si : H эрбием с образованием проводимости n-типа и формирования гетероперехода по мере роста пленки.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален