Профиль » Публикация

Аннотация Получено точное аналитическое решение задачи о распределении электрического поля в плоском конденсаторе с бесконечно длинной щелью, тонкими электродами и неоднородным поверхностным зарядом на границе диэлектрика, заполняющего конденсатор. Такой конденсатор является хорошей моделью p-i-n-диода с мелкими планарными переходами, стоп-кольцом и слабо легированным охранным кольцом. Показано, что охранное кольцо с изменяющейся вдоль границы раздела полупроводник--вакуум поверхностной плотностью заряда Qs в принципе позволяет уменьшить максимальное значение краевого поля до объемного значения E0. Для этого необходимо, чтобы: а)ширина охранного кольца была по крайней мере в 3раза больше толщины обедненной области d; b)величина Qs была равна -E0varepsilon0(varepsilon+1/2) во внутренней области охранного кольца и плавно увеличивалась до E0varepsilon0(varepsilon+3/2) (при наличии стоп кольца) или до 0 (при его отсутствии) в полосе шириной не менее d, расположенной на внешней границе охранного кольца. Результаты расчетов применимы также для оптимизации профиля легирования диодов, изготовленных по технологии "кремний-на-изоляторе".